عملية قياس رئيسية واحدة ، تأخير إيقاف التشغيل التلقائي. تيار الاغلاق هو 20nA فقط ، ودعم لتشغيل البطارية. الكشف التلقائي PNP و NPN الترانزستور ثنائي القطب ، N ، MOSFET ، JFET FET ، الثنائيات ، اثنين من الثنائيات ، الثايرستور ، المقاومات ، المكثفات ، المحاثات. تعريفات دبوس الكشف التلقائي. قياس عامل تضخيم التيار (B) للترانزستور ثنائي القطب وجهد التشغيل لتقاطع الباعث (Uf). يمكن تحديد عامل تضخيم الترانزستور دارلينجتون من خلال الجهد العالي والتيار العالي. يمكن الكشف عن الترانزستورات ثنائية القطب وصمامات الحماية الداخلية MOSFET وعرضها على الشاشة. قياس الجهد وسعة البوابة ل MOSFET. دعم اثنين من قياسات المقاومة ، يمكن قياس الإمكانات. إذا تم ضبط مقياس الجهد حتى النهاية ، لا يمكن للمختبر التمييز بين منتصف ونهايات الدبوس. دقة قياس المقاومة هي 0.1 أوم ، القيمة القصوى لقياسات 50 مليون أوم. نطاق قياس السعة من 25pf إلى 100mF (100000 UF). دقة تصل إلى 1 pF ، نطاق قياس الحث 0.01MH-20H ، وإلا فسيظهر كمقاوم ، مقاومة DC للمحث أعلى مما لو تم عرض Europe 2100 أيضا كمقاوم. يمكنه اكتشاف 2UF فوق مقاومة السلسلة المكافئة للمكثف ، بدقة 0.01 أوم. هذه الميزة مهمة جدا للكشف عن أداء المكثف. يمكنه عرض رموز الثنائيات في الاتجاه الصحيح ، كما يظهر انخفاض الجهد الأمامي. كشف LED لانخفاض الجهد الأمامي الصمام الثنائي أعلى من المعتاد. تم اكتشاف مصابيح LED مزدوجة على أنها صمام ثنائي مزدوج. سيومض الكشف المتزامن عن الثنائيات الباعثة للضوء. الوقت لكل اختبار حوالي ثانيتين ، فقط قياسات السعة والحث ستستغرق وقتا طويلا. العرض: 1 × 3.7 فولت بطارية ليثيوم (لا بما في ذلك البطارية) اللون: كما هو موضح مواد:بيسي + معدن محتويات الحزمة: 1x MG328 اختبار الترانزستور (لا بما في ذلك البطارية) 3x خط اختبار عالي الجودة فقط محتوى الحزمة أعلاه ، لا يتم تضمين المنتجات الأخرى. ملاحظة: انعكاس الضوء وشاشات مختلفة قد يختلف لون العنصر قليلا عن الشيء الحقيقي. خطأ القياس المسموح به هو +/- 1-3 سم.